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?SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x應(yīng)用特點(diǎn)

發(fā)布時(shí)間: 2025-09-11  點(diǎn)擊次數(shù): 61次

SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x應(yīng)用特點(diǎn)

 

由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測(cè)量采用四端接線法。為了滿足實(shí)際的需要,本儀器采用四探針?lè)ㄔ韥?lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻及電阻率的測(cè)量??捎糜诟咝N锢斫逃龑?shí)驗(yàn),對(duì)導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測(cè)試及研究。本產(chǎn)品的電阻測(cè)量范圍可達(dá)10-5—106Ω。

 

SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測(cè)量?jī)x是由SB118/1型精密電壓電流源以及SB120/2四探針樣品平臺(tái)二臺(tái)儀器構(gòu)成。

 

l SB118型精密直流電壓電流源 (詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū))

 

直流電流源

a)  電流輸出范圍:1nA~200mA,輸出電壓不小于5V;

b)  量程:分五檔,20μA、200μA、2mA、20mA、200mA;

c)   電流輸出的基本wu差:0.03%RD±0.02%FS(20±2℃);其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。

 

直流電壓源

a)  電壓輸出范圍:5μV~50V,負(fù)載電流不小于10mA(20mV以上);

b) 量程:分五檔,20mV、200mV、2V、20V、50V,每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào);

c)  電壓輸出的基本wu差:0.05%RD±0.02%FS(20±2℃)。

數(shù)字電壓表(4?LED)利用電壓源部分“取樣"端可對(duì)被測(cè)電壓進(jìn)行測(cè)試

 

a)  測(cè)量量程   20mV,200mV,2V,20V,200V

b)  最高分辨力  可達(dá)1µV

c) 基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS   (20±2oC)

l  SB120/2四探針樣品平臺(tái)(詳見(jiàn)該產(chǎn)品使用說(shuō)明書(shū))

 

為被測(cè)薄膜樣品,利用四探針測(cè)量方式測(cè)量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率,提供了方便。

 

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